VDP-B系列 等离子去胶系统
应用：硅基半导体及化合物半导体的光阻灰化、高剂量离子注入后光刻胶去除、金属表面去胶、Wafer表面的残胶去除、Wafer表面残留污染物去除、晶圆级封装的前处理工艺等。
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| 编号 | 内容 | 规格参数 |
|---|---|---|
| 1 | 整机结构 | 前端设备操作单元、前端EFEM单元及等离子处理单元，前端EFEM系统与等离子体处理单元分体式设计 |
| 2 | 等离子体源 | 射频式电感耦合等离子体源或双频等离子体源 |
| 3 | 反应腔室 | 射频式电感耦合等离子体源或双频等离子体源 |
| 4 | 机械传片 | 单臂或双臂高精度机械手 |
| 5 | Wafer升降 | 机械式Wafer pin升降结构，Wafer pin采用特定工艺处理 |
| 6 | 真空泵 | 干式真空泵，根据安装位置及工艺不同，选择100-600m3/h规格。如工艺需求，可增加分子泵。 |
| 7 | 工艺压力控制 | 自动调压蝶阀 |
| 8 | 真空检测 | 管道真空计、反应腔室全量程真空计、工艺真空计 |
| 9 | 工艺气体种类 | 标准配置Ar、N2、O2，可增加CF4及其他工艺气体 |
| 10 | 气体流量控制 | 质量流量控制器（MFC） |
| 设备主要应用：硅基半导体及化合物半导体的光阻灰化、高剂量离子注入后光刻胶去除、金属表面去胶、Wafer表面的残胶去除、Wafer表面残留污染物去除、晶圆级封装的前处理工艺等。 设备主要特点:可兼容多尺寸晶圆、可实现多反应腔室定制、独特的等离子处理空间设计、等离子体密度高、去胶速率快、均匀性好、使用成本低、定制程度高、本系列设备的设计遵从中国国家安全标准及SEMI相关安全标准要求。 | ||
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