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VCP系列晶圆级等离子清洗系统

应用：湿制程后表面有机残留去除、晶圆表面较小particle去除、晶圆表面较大particle去除及辅助去除、除胶后碳化物及其他有机物去除、晶圆级封装前表面清洗、晶圆级封装前表面活化处理、晶圆表面微钝化处理等。

编号	内容	规格参数
1	整机结构	带load port系统分为前端设备操作单元、前端EFEM单元及等离子处理单元，前端EFEM系统与等离子体处理单元分体式设计
2	等离子体源	射频等离子体源或双频等离子体源
3	反应腔室	标准设计为双反应腔室，可根据需求定制单反应腔室和多反应腔室结构
4	机械传片	单臂或双臂高精度机械手
5	Wafer升降	机械式Wafer pin升降结构，Wafer pin采用特定工艺处理
6	真空泵	干式真空泵，根据安装位置及工艺不同，选择100-300m3/h规格。如工艺需求，可增加分子泵
7	工艺压力控制	自动调压蝶阀或固定旁通结构
8	真空检测	管道真空计、反应腔室全量程真空计、工艺真空计
9	工艺气体种类	标准配置Ar、N2、O2，可增加其他工艺气体
10	气体流量控制	质量流量控制器（MFC）
设备主要应用：湿制程后表面有机残留去除、晶圆表面较小particle去除、晶圆表面较大particle去除及辅助去除、除胶后碳化物及其他有机物去除、晶圆级封装前表面清洗、晶圆级封装前表面活化处理、晶圆表面微钝化处理等。设备主要特点：可兼容多尺寸晶圆、可实现多反应腔室定制、独特的CCP等离子体源设计、高洁净反应腔室，整机空间环境particle控制、可选择射频等离子发生器或双频等离子发生器、等离子体密度高、均匀性好、可升级超洁净反应腔室系统。