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VAP系列晶圆级等离子活化系统

应用：晶圆级封装前表面预处理、晶圆级键合前表面活化、光刻胶涂覆前表面活化、晶圆表面较小particle去除、表面有机残留去除等。

特点：可兼容多尺寸晶圆、可实现多反应腔室定制、超洁净反应腔室，有效控制各种污染物、整机空间环境污染物控制、射频等离子发生器或双频等离子发生器、晶圆表面损伤小，可用于带图形晶圆的表面活化、等离子体密度高、均匀性好。

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编号	内容	规格参数
1	整机结构	带load port系统分为前端设备操作单元、前端EFEM单元及等离子处理单元，前端EFEM系统与等离子体处理单元分体式设计
2	等离子体源	射频等离子体源或双频等离子体源
3	反应腔室	标准设计为双反应腔室，可根据需求定制单反应腔室和多反应腔室结构
4	机械传片	单臂或双臂高精度机械手
5	Wafer升降	机械式Wafer pin升降结构，Wafer pin采用特定工艺处理
6	前真空泵	干式真空泵，根据安装位置及工艺不同，选择100-300m3/h规格
7	高真空真空泵	分子泵（水冷或CDA冷却）
8	工艺压力控制	自动调压蝶阀
9	真空检测	管道真空计、反应腔室全量程真空计、工艺真空计、压差开关
10	工艺气体种类	标准配置高纯Ar、N2、O2，可增加其他高纯工艺气体
设备主要应用：晶圆级封装前表面预处理、晶圆级键合前表面活化、光刻胶涂覆前表面活化、晶圆表面较小particle去除、表面有机残留去除等。设备主要特点：可兼容多尺寸晶圆、可实现多反应腔室定制、超洁净反应腔室，有效控制各种污染物、整机空间环境污染物控制、射频等离子发生器或双频等离子发生器、晶圆表面损伤小，可用于带图形晶圆的表面活化、等离子体密度高、均匀性好。