在半导体封装工艺中，铜引线框架凭借其优异的导电性、导热性和加工性能，成为主流的芯片载体材料。然而，铜在空气中极易氧化，形成的氧化层（如CuO、Cu₂O）不仅会降低引线框架的表面活性，还会导致封装过程中的分层、键合失效等问题，严重影响产品的可靠性和良率。

等离子清洗在铜引线框架去氧化中的应用优势

（一）高效去氧化

等离子清洗技术能够在短时间内彻底去除铜引线框架表面的氧化层。例如，采用Ar/H₂混合气体（比例1:4）进行等离子清洗时，可将表面氧含量降至0.1at%以下，远低于传统化学清洗的残留水平。实验数据显示，经过等离子清洗的铜引线框架，其表面水滴角从清洗前的70°以上降低至15°以下，表明表面活性显著提升。

（二）环保无污染

与传统的酸洗工艺相比，等离子清洗无需使用强酸强碱等化学试剂，避免了废水排放和环境污染问题。清洗过程中产生的挥发性物质可通过真空泵直接排出，符合绿色制造的发展趋势。

（三）工艺兼容性强

等离子清洗技术适用于各种形状和尺寸的铜引线框架，且不会对材料造成机械损伤。其低温处理特性（通常低于100℃）避免了高温对芯片和封装材料的热影响，确保了产品的性能稳定性。

（四）提升封装可靠性

等离子清洗后的铜引线框架表面洁净度和活性显著提高，能够增强与封装材料（如环氧树脂、塑封料）的粘接强度，减少分层和空洞现象。实际应用中，经过等离子清洗的封装产品，其分层率可降低50%以上，良率提升20%以上。