【真空等离子设备】用等离子体聚合介质膜可保护电子元件，用等离子体沉积导电膜可保护电子电路及设备免遭静电荷积累而引起损坏，用等离子体沉积薄膜还可以制造电容器元件。在电子工业、化学工业、光学等方面有许多应用。
①等离子体沉积硅化合物。用SiH4+N2O〔或Si(OC2H4)+O2 〕,制成SiOxHy。气压1～5托（1托≈133帕），电源13.5兆赫。氮化硅沉积用SiH4+SiH3+N2。温度300℃，沉积率约180埃／分。非晶碳化硅膜由硅烷加含碳的共反应剂得SixC1+x：H，x 是Si/Si+C比例。硬度大于2500千克／毫米2 。
在多孔基片上,用等离子体沉积一层薄聚合膜，制成选择性的渗透膜及反渗透膜，可用于分离混合气中的气体，分离离子与水。也可以组合超薄膜层，以适应不同的选择性，如分子大小，可溶性，离子亲合性，扩散性等。【等离子Plasma】
在碳酸盐-硅共聚物基片上,用一般方法沉积0.5毫米薄膜,氢／甲烷的渗透性比为0.85，甲烷的渗透性比氢的高。若用等离子体在基片上沉积苯甲氰单体,这一比值增为33,分离作用大为提高。
反渗透膜可用于海水脱盐。在水流量低于一定阈值时，排盐效果才好。烯烃族、杂芳香族及芳香胺等的聚合膜具有满意的反渗透性。
②等离子体沉积膜可用于光学元件，如消反射膜，抗潮、抗磨损等薄膜。
